Produkty

Powłoka z węglika krzemu

Firma VeTek Semiconductor specjalizuje się w produkcji ultraczystych powłok z węglika krzemu. Powłoki te są przeznaczone do nakładania na oczyszczony grafit, ceramikę i elementy z metali ogniotrwałych.


Nasze powłoki o wysokiej czystości są przeznaczone przede wszystkim do stosowania w przemyśle półprzewodników i elektroniki. Służą jako warstwa ochronna dla nośników płytek, susceptorów i elementów grzejnych, chroniąc je przed korozyjnymi i reaktywnymi środowiskami spotykanymi w procesach takich jak MOCVD i EPI. Procesy te są integralną częścią przetwarzania płytek i produkcji urządzeń. Dodatkowo nasze powłoki doskonale nadają się do zastosowań w piecach próżniowych i podgrzewaniu próbek, gdzie występują środowiska o wysokiej próżni, reaktywne i tlenowe.


W VeTek Semiconductor oferujemy kompleksowe rozwiązanie z naszymi zaawansowanymi możliwościami warsztatu mechanicznego. Dzięki temu jesteśmy w stanie wyprodukować podstawowe komponenty z grafitu, ceramiki lub metali ogniotrwałych i samodzielnie nałożyć powłoki ceramiczne SiC lub TaC. Świadczymy również usługi powlekania części dostarczonych przez klienta, zapewniając elastyczność w celu zaspokojenia różnorodnych potrzeb.


Nasze produkty z powłoką z węglika krzemu są szeroko stosowane w epitaksji Si, epitaksji SiC, systemie MOCVD, procesie RTP/RTA, procesie trawienia, procesie trawienia ICP/PSS, procesie różnych typów diod LED, w tym niebieskich i zielonych diod LED, UV LED i głębokiego UV LED itp., który jest dostosowany do sprzętu firm LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI i tak dalej.


Części reaktora, które możemy wykonać:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Powłoka z węglika krzemu ma kilka unikalnych zalet:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Parametr powłoki z węglika krzemu VeTek Semiconductor

Podstawowe właściwości fizyczne powłok CVD SiC
Nieruchomość Typowa wartość
Struktura kryształu Polikrystaliczna faza β FCC, głównie zorientowana na (111).
Gęstość powłoki SiC 3,21 g/cm3
Powłoka SiC Twardość Twardość 2500 Vickersa (obciążenie 500 g)
ROZMIAR ZIARNA 2 ~ 10 µm
Czystość chemiczna 99,99995%
Pojemność cieplna 640 J·kg-1·K-1
Temperatura sublimacji 2700 ℃
Wytrzymałość na zginanie 415 MPa RT 4-punktowy
Moduł Younga Zagięcie 430 Gpa, 4-punktowe, 1300 ℃
Przewodność cieplna 300W·m-1·K-1
Rozszerzalność cieplna (CTE) 4,5×10-6K-1

STRUKTURA KRYSTALICZNA FILMU CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



View as  
 
Komora reaktora epitaksjalnego pokryta SiC

Komora reaktora epitaksjalnego pokryta SiC

Komora reaktora epitaksjalnego powlekanego Veteksemicon SiC jest głównym elementem zaprojektowanym do wymagających procesów epitaksjalnego wzrostu półprzewodników. Wykorzystując zaawansowane chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD), produkt ten tworzy gęstą powłokę SiC o wysokiej czystości na podłożu grafitowym o wysokiej wytrzymałości, co zapewnia doskonałą stabilność w wysokich temperaturach i odporność na korozję. Skutecznie przeciwstawia się korozyjnemu działaniu gazów reagentów w środowiskach procesowych o wysokiej temperaturze, znacząco tłumi zanieczyszczenia cząstkami stałymi, zapewnia stałą jakość materiału epitaksjalnego i wysoką wydajność oraz znacznie wydłuża cykl konserwacji i żywotność komory reakcyjnej. Jest to kluczowy wybór umożliwiający poprawę wydajności i niezawodności produkcji półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak SiC i GaN.
Części odbiornika EPI

Części odbiornika EPI

Veteksemicon rozumie, że w podstawowym procesie epitaksjalnego wzrostu węglika krzemu wydajność susceptora bezpośrednio determinuje jakość i wydajność produkcji warstwy epitaksjalnej. Nasze susceptory EPI o wysokiej czystości, zaprojektowane specjalnie dla pola SiC, wykorzystują specjalne podłoże grafitowe i gęstą powłokę CVD SiC. Dzięki doskonałej stabilności termicznej, doskonałej odporności na korozję i wyjątkowo niskiej szybkości wytwarzania cząstek zapewniają klientom niezrównaną grubość i jednorodność domieszkowania nawet w trudnych warunkach procesowych o wysokiej temperaturze. Wybór firmy Veteksemicon oznacza wybór kamienia węgielnego niezawodności i wydajności dla zaawansowanych procesów produkcji półprzewodników.
Susceptor grafitowy pokryty SiC dla ASM

Susceptor grafitowy pokryty SiC dla ASM

Grafitowy susceptor Veteksemicon SiC do ASM jest głównym składnikiem nośnika w procesach epitaksjalnych półprzewodników. W produkcie tym zastosowano naszą zastrzeżoną technologię pirolitycznego powlekania węglikiem krzemu oraz precyzyjne procesy obróbki, aby zapewnić doskonałą wydajność i wyjątkowo długą żywotność w środowiskach procesowych o wysokiej temperaturze i korozyjnym. Głęboko rozumiemy rygorystyczne wymagania procesów epitaksjalnych dotyczące czystości podłoża, stabilności termicznej i konsystencji, i angażujemy się w dostarczanie klientom stabilnych, niezawodnych rozwiązań, które poprawiają ogólną wydajność sprzętu.
Pierścień ostrości z węglika krzemu

Pierścień ostrości z węglika krzemu

Pierścień ostrości Veteksemicon został zaprojektowany specjalnie dla wymagających urządzeń do trawienia półprzewodników, szczególnie do zastosowań związanych z trawieniem SiC. Zamontowany wokół uchwytu elektrostatycznego (ESC), w pobliżu płytki, jego podstawową funkcją jest optymalizacja rozkładu pola elektromagnetycznego w komorze reakcyjnej, zapewniając równomierne i skupione działanie plazmy na całej powierzchni płytki. Wysokowydajny pierścień ostrości znacznie poprawia równomierność szybkości trawienia i redukuje efekty krawędziowe, bezpośrednio zwiększając wydajność produktu i wydajność produkcji.
Płyta nośna z węglika krzemu do trawienia LED

Płyta nośna z węglika krzemu do trawienia LED

Płyta nośna z węglika krzemu Veteksemicon do trawienia LED, zaprojektowana specjalnie do produkcji chipów LED, jest głównym materiałem eksploatacyjnym w procesie trawienia. Wykonany z precyzyjnie spiekanego węglika krzemu o wysokiej czystości, zapewnia wyjątkową odporność chemiczną i stabilność wymiarową w wysokiej temperaturze, skutecznie przeciwstawiając się korozji powodowanej przez mocne kwasy, zasady i plazmę. Jego niskie właściwości zanieczyszczenia zapewniają wysoką wydajność płytek epitaksjalnych LED, a jego trwałość, znacznie przewyższająca trwałość tradycyjnych materiałów, pomaga klientom obniżyć całkowite koszty operacyjne, co czyni go niezawodnym wyborem w celu poprawy wydajności i spójności procesu trawienia.
Solidny pierścień ostrości SiC

Solidny pierścień ostrości SiC

Pierścień ostrości Veteksemi z litego SiC znacznie poprawia równomierność trawienia i stabilność procesu poprzez precyzyjną kontrolę pola elektrycznego i przepływu powietrza na krawędzi płytki. Jest szeroko stosowany w precyzyjnych procesach trawienia krzemu, dielektryków i złożonych materiałów półprzewodnikowych i jest kluczowym elementem zapewniającym wydajność produkcji masowej i długoterminowe niezawodne działanie sprzętu.
Jako profesjonalny producent i dostawca w Chinach mamy własną fabrykę. Niezależnie od tego, czy potrzebujesz dostosowanych usług, aby zaspokoić konkretne potrzeby twojego regionu, czy chcesz kupić zaawansowane i trwałe Powłoka z węglika krzemu wyprodukowane w Chinach, możesz zostawić nam wiadomość.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept