Produkty
Susceptor grafitowy pokryty CVD SiC do nośnika płytek
  • Susceptor grafitowy pokryty CVD SiC do nośnika płytekSusceptor grafitowy pokryty CVD SiC do nośnika płytek

Susceptor grafitowy pokryty CVD SiC do nośnika płytek

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier to wysokowydajny element nośny płytek przeznaczony do procesów epitaksji półprzewodników. W produkcie zastosowano jako podłoże grafit o wysokiej czystości i pokryto jednolitą warstwą węglika krzemu CVD (SiC), zapewniającą doskonałą stabilność termiczną, odporność chemiczną i kontrolę cząstek. Jako krytyczny składnik susceptora grafitu bezpośrednio podtrzymuje płytki wewnątrz komory reakcyjnej i pomaga utrzymać równomierny rozkład temperatury i stabilne warunki wzrostu epitaksjalnego.

1. Zalety produktu


  • Materiał o wysokiej czystości:Materiał grafitowy klasy półprzewodnikowej i gęsta struktura powłoki SiC minimalizują ryzyko zanieczyszczeń i poprawiają niezawodność grafitowego susceptora pokrytego CVD SiC.
  • Doskonała jednorodność termiczna:Zoptymalizowana struktura grafitu i powłoka SiC zapewniają stabilną wymianę ciepła i równomierną kontrolę temperatury płytki.
  • Doskonała odporność chemiczna:Gęsta powłoka SiC zapewnia dużą odporność na gazy procesowe i środowiska korozyjne.
  • Długa żywotność:Wysoka twardość i odporność na zużycie poprawiają trwałość w warunkach epitaksji w wysokiej temperaturze.
  • Niska generacja cząstek:Gęsta powierzchnia CVD SiC zmniejsza uwalnianie cząstek i poprawia niezawodność procesu płytek.
  • Możliwość dostosowania projektu:Dostępne w różnych rozmiarach, konstrukcjach i konfiguracjach w zależności od wymagań sprzętowych.



2. Dane techniczne

Przedmiot
Typowa wartość
Materiał podłoża
Grafit o wysokiej czystości
Materiał powłokowy
Węglik krzemu CVD (SiC)
Czystość SiC
≥99,999%
Grubość powłoki
100 ± 20 μm (konfigurowalny)
Jednorodność grubości powłoki
Kontrolowane w odległości 10 μm pomiędzy partiami
Gęstość powłoki CVD SiC
3,21 g/cm3
Przewodność cieplna
300 W/m·K
Współczynnik rozszerzalności cieplnej
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplikacje


  • Proces epitaksji SiC:Susceptor grafitowy stosowany jest jako nośnik płytek w sprzęcie do epitaksji SiC, wspierając podłoża SiC podczas wzrostu epitaksjalnego w wysokiej temperaturze.
  • Proces epitaksji krzemu:Stosowany w krzemowych reaktorach epitaksjalnych do podtrzymywania płytek i utrzymywania stabilnych warunków termicznych.
  • Epitaksja MOCVD:Susceptory grafitowe VETEK nadają się do zastosowań w MOCVD, epitaksji LED, epitaksji GaN, epitaksji krzemowej i innych procesach produkcji półprzewodników wymagających doskonałej jednorodności termicznej i stabilności chemicznej.
  • Sprzęt do produkcji półprzewodników:Kompatybilny z różnymi platformami epitaksji, w tym z piecami poziomymi LPE, Aixtron, NuFlare i powiązanym sprzętem półprzewodnikowym.



4. Dlaczego warto wybrać firmę VETEK?

Firma VETEK dostarcza dostosowane do indywidualnych potrzeb rozwiązania w zakresie susceptorów grafitowych powlekanych CVD SiC, łączące oczyszczanie grafitu, precyzyjną obróbkę, powlekanie CVD i możliwości inspekcji. Nasze produkty susceptorowe z grafitu półprzewodnikowego charakteryzują się wysoką czystością, jednolitą grubością powłoki, doskonałą wydajnością cieplną i długą żywotnością w przypadku wymagających zastosowań w nośnikach płytek.

Gorące Tagi: Susceptor grafitowy pokryty CVD SiC, Susceptor grafitowy, Nośnik wafla grafitowego pokryty SiC, Susceptor epitaksji półprzewodnikowej, Susceptor grafitowy MOCVD, Nośnik wafla SiC, Susceptor grafitowy CVD SiC
Wyślij zapytanie
Informacje kontaktowe
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Używamy plików cookie, aby zapewnić lepszą jakość przeglądania, analizować ruch w witrynie i personalizować zawartość. Korzystając z tej witryny, wyrażasz zgodę na używanie przez nas plików cookie. Polityka prywatności
OdrzucićPrzyjąć