Przykładowe mapowanie

W oparciu o próbkę fizyczną dostarczoną przez klienta (nawet jeśli jest to zużyta lub uszkodzona część używana) oferujemy usługi w pełnym zakresie, począwszy od inżynierii odwrotnej struktury fizycznej po charakterystykę fizykochemiczną na poziomie materiału. Wykorzystując wysoce precyzyjny sprzęt kontrolny klasy półprzewodnikowej, dokładnie określamy ilościowo złożone struktury geometryczne 3D, właściwości powłoki/podłoża oraz parametry fizyczne materiałów, zapewniając, że produkt poddany inżynierii odwrotnej spełnia lub przekracza standardy OEM pod względem dopasowania fizycznego, zgodności procesów i żywotności (wymiana typu Form-Fit-Function).

Co mierzymy (produkty techniczne):

• Tolerancje wymiarowe i geometryczne:Wykorzystując wysoce precyzyjne współrzędnościowe maszyny pomiarowe (CMM) i optyczne skanery 3D, wykonujemy pełnowymiarowe modelowanie chmur punktów i rekonstrukcję złożonych struktur wnękowych oraz otworów montażowych/lokalizujących, osiągając dokładność na poziomie mikronów.
• Mikromorfologia i płaskość powierzchni:Zastosowanie interferometrów światła białego i profilometrów optycznych do oceny chropowatości powierzchni (Ra) w skali nanometrowej i płaskości na dużej powierzchni, spełniając wymagania dotyczące obsługi płytek i uszczelniania komór.
• Mikrofunkcje Edge:Mapowanie promieni R krawędzi i mikroprofili fazowania w dużym powiększeniu w celu optymalizacji morfologii wspinania się powłoki i uniknięcia koncentracji naprężeń w ostrych narożnikach, które mogą powodować rozwarstwianie w wysokiej temperaturze.
• Analiza podłoża grafitowego i dopasowania termicznego:Ocena gęstości podłoża z grafitu o wysokiej czystości, wielkości ziaren i współczynnika rozszerzalności cieplnej (CTE), aby zapewnić dopasowanie naprężenia termicznego pomiędzy podłożem a powłoką CVD.
• Jakość przekroju powłoki i połączenia międzyfazowego:Nieniszcząca analiza XRF i metalograficzna analiza SEM przekroju poprzecznego w celu pomiaru grubości bezwzględnej, jednorodności promieniowej powłoki CVD i głębokości penetracji granicy faz.
• Struktura fazowa i analiza mikrokryształów:Ocena XRD czystości fazy sześciennej (β-SiC) CVD SiC; jakościowa ocena stechiometrii chemicznej i charakterystyki struktury krystalicznej CVD TaC.

Prawdziwy przypadek i korzyści dla klienta (doświadczenie):

Klient 12-calowego elementu do trawienia półprzewodników:Zaprzestanie dostaw OEM; dostępna była tylko jedna zużyta, używana część. Dzięki modelowaniu odwrotnemu CMM i analizie przekroju powłoki SEM zakończyliśmy opracowywanie części zamiennych i testowanie na narzędziu w ciągu 2 miesięcy bez żadnych oryginalnych rysunków, osiągając 100% dopasowania montażowego. Ostatecznie cykl zakupu komponentów został skrócony z pierwotnego 6-miesięcznego czasu realizacji importu do 2 miesięcy, jednostkowy koszt zakupu spadł o 42%, a model ten był dostarczany stabilnie w ponad 30 partiach.

Powłoka z węglika krzemu (SiC) na przekroju poprzecznym powłoki SEM

Często zadawane pytania

Rozpocznij swoją ekskluzywną usługę już teraz