Kod QR
O nas
Produkty
Skontaktuj się z nami


Faks
+86-579-87223657

E-mail

Adres
Wangda Road, Ziyang Street, hrabstwo Wuyi, miasto Jinhua, prowincja Zhejiang, Chiny
Wybór dopasowanej kombinacji podłoża i powłoki jest kluczem do zapobiegania przedwczesnym awariom komponentów, zmniejszania zanieczyszczenia cząstkami i maksymalizacji wydajności płytek. Zapewniamy dostosowane do indywidualnych potrzeb rozwiązania w zakresie materiałów i konstrukcji w oparciu o specyficzne okno procesowe klienta (temperatura robocza, skład chemiczny gazów reaktywnych, szybkości rampy).
| Powłoka | Typowe wskazówki dotyczące stosowania | Podstawowe zalety |
|---|---|---|
| CVD SiC | Epitaksja Si/SiC (Epi), MOCVD, częściowe trawienie plazmowe | Wysoka czystość, dobra stabilność termiczna, odporność na korozję chemiczną, wysoka ogólna wydajność kosztowa |
| CVD TaC | Wysokotemperaturowy wzrost monokryształów SiC (PVT), elementy przenoszące obciążenia w ekstremalnie wysokich temperaturach | Wyższa temperatura (> 1600 ° C), silna odporność na korozję, doskonała odporność na utlenianie |
Wiodący producent epitaksji SiC (Epi):W oryginalnym elemencie zastosowano niedopasowaną powłokę CVD TaC, co skutkowało nadmiernymi naprężeniami międzyfazowymi i częstymi mikropęknięciami w wysokiej temperaturze. Ponownie przeprowadziliśmy symulacje termodynamiczne i przeszliśmy na aSpecjalne podłoże grafitowe o wysokiej czystości dopasowane do CTE + warstwa buforowa + powłoka CVD SiCrozwiązanie. Wynik: średni czas życia komponentów wzrósł z 200 godzin do 850 godzin; roczna częstotliwość wymiany narzędzia spadła z 40 do 9 razy; Oszczędności w kosztach obsługi i konserwacji kompleksowego sprzętu przekroczyły 650 000 RMB rocznie.
Raport z analizy czystości GDMS dla powłok TaC i SiC
A:Zwróć uwagę na temperaturę procesu i intensywność korozji w fazie gazowej. Jeśli temperatura procesu jest niższa niż 1000°C i obejmuje głównie trawienie na bazie Cl₂/F₂ lub konwencjonalną epitaksję, wybierzCVD SiCdla najlepszej wydajności kosztowej; jeśli temperatura procesu przekracza 1200°C i występuje w atmosferze silnie korozyjnej (np. wzrost monokryształów SiC PVT), zalecamyCVD TaC, który zapewnia doskonałą odporność na temperaturę i korozję. Możemy dostarczyć bezpłatny raport z zaleceniami dotyczącymi wyboru w oparciu o konkretne parametry procesu.
A:Tak! W przypadku prototypów poddanych inżynierii odwrotnej,MOQ to 1 sztuka. W przypadku konwencjonalnych prostych części, od otrzymania próbki do dostarczenia odwzorowanej części, najszybszy czas realizacji wynosi w przybliżeniu10–15 dni roboczych; w przypadku części wymagających złożonych procesów powlekania jest to w przybliżeniu20–25 dni roboczych. Skontaktuj się z naszymi inżynierami, aby uzyskać przyspieszoną ocenę.
A:90% przypadków rozwarstwień jest spowodowanych niedopasowaniem współczynnika rozszerzalności cieplnej (CTE) podłoża grafitowego i powłoki, co prowadzi do łuszczenia zmęczeniowego podczas szybkiego nagrzewania/chłodzenia. Nasze rozwiązanie: najpierw dokładnie zmierz krzywą CTE oryginalnej części, a następnie specjalnie dostosuj gęstość podłoża i gradient temperatury osadzania, tak aby oba współczynniki CTE były dobrze dopasowane. Siłę wiązania można zwiększyć do ponad1,5 razykonwencjonalny poziom branżowy.
A:Każdy wysyłany produkt jest standardowo wyposażony wunikalny numer seryjny + pełny raport CoA. Raport zawiera: dane z kontroli wymiarów krytycznych CMM, wielopunktową mapę rozkładu grubości powłok, wartości chropowatości powierzchni (Ra) oraz wnioski z analizy czystości materiału (GDMS).
Telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)
E-mail: anny@veteksemi.com