Usługi i zasoby

Materiały i projekt

Wybór dopasowanej kombinacji podłoża i powłoki jest kluczem do zapobiegania przedwczesnym awariom komponentów, zmniejszania zanieczyszczenia cząstkami i maksymalizacji wydajności płytek. Zapewniamy dostosowane do indywidualnych potrzeb rozwiązania w zakresie materiałów i konstrukcji w oparciu o specyficzne okno procesowe klienta (temperatura robocza, skład chemiczny gazów reaktywnych, szybkości rampy).

Nasze podstawowe możliwości projektowe:

  • Rygorystyczne dopasowanie naprężenia CTE:W przypadku szybkich cykli termicznych (>100°C/min) precyzyjnie dopasowujemy krzywe temperatury WRC dla podłoży grafitowych o wysokiej czystości i powłok CVD, zasadniczo zmniejszając ryzyko rozwarstwiania się powłok i mikropęknięć.
  • Wybór powłoki dostosowany do scenariusza procesu:Powłoka CVD SiC do epitaksji Si/SiC (Epi), MOCVD i środowisk trawienia plazmowego; Powłoka CVD TaC do zastosowań w wyższych temperaturach i warunkach silnie korozyjnych (np. wzrost monokrystalicznego PVT SiC).
  • Kontrolowana rezystywność i optymalizacja przewodności cieplnej:Precyzyjna kontrola oporności objętościowej i przewodności cieplnej podłoża i powłoki w celu spełnienia określonych wymagań elektrycznych i pola cieplnego uchwytów elektrostatycznych RF, ESC lub stref grzewczych.
  • Kontrola źródła zanieczyszczeń i redukcja CoO:Warstwy osadzania CVD o wysokiej czystości gęsto uszczelniają porowaty grafit, znacznie zmniejszając wydzielanie cząstek, dyfuzję ultraśladowych zanieczyszczeń metalicznych i ryzyko odgazowania w wysokiej temperaturze.

Porównanie typowych powłok (przewodnik w skrócie)

Powłoka Typowe wskazówki dotyczące stosowania Podstawowe zalety
CVD SiC Epitaksja Si/SiC (Epi), MOCVD, częściowe trawienie plazmowe Wysoka czystość, dobra stabilność termiczna, odporność na korozję chemiczną, wysoka ogólna wydajność kosztowa
CVD TaC Wysokotemperaturowy wzrost monokryształów SiC (PVT), elementy przenoszące obciążenia w ekstremalnie wysokich temperaturach Wyższa temperatura (> 1600 ° C), silna odporność na korozję, doskonała odporność na utlenianie

Prawdziwy przypadek i korzyści dla klienta (doświadczenie):

Wiodący producent epitaksji SiC (Epi):W oryginalnym elemencie zastosowano niedopasowaną powłokę CVD TaC, co skutkowało nadmiernymi naprężeniami międzyfazowymi i częstymi mikropęknięciami w wysokiej temperaturze. Ponownie przeprowadziliśmy symulacje termodynamiczne i przeszliśmy na aSpecjalne podłoże grafitowe o wysokiej czystości dopasowane do CTE + warstwa buforowa + powłoka CVD SiCrozwiązanie. Wynik: średni czas życia komponentów wzrósł z 200 godzin do 850 godzin; roczna częstotliwość wymiany narzędzia spadła z 40 do 9 razy; Oszczędności w kosztach obsługi i konserwacji kompleksowego sprzętu przekroczyły 650 000 RMB rocznie.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

Raport z analizy czystości GDMS dla powłok TaC i SiC

Często zadawane pytania

1. P: Jak powinienem wybrać pomiędzy powłoką CVD SiC a powłoką CVD TaC?

▼

A:Zwróć uwagę na temperaturę procesu i intensywność korozji w fazie gazowej. Jeśli temperatura procesu jest niższa niż 1000°C i obejmuje głównie trawienie na bazie Cl₂/F₂ lub konwencjonalną epitaksję, wybierzCVD SiCdla najlepszej wydajności kosztowej; jeśli temperatura procesu przekracza 1200°C i występuje w atmosferze silnie korozyjnej (np. wzrost monokryształów SiC PVT), zalecamyCVD TaC, który zapewnia doskonałą odporność na temperaturę i korozję. Możemy dostarczyć bezpłatny raport z zaleceniami dotyczącymi wyboru w oparciu o konkretne parametry procesu.

2. P: Czy wspieracie prototypowanie pojedynczych sztuk/małych partii? Jaki jest czas realizacji?

▼

A:Tak! W przypadku prototypów poddanych inżynierii odwrotnej,MOQ to 1 sztuka. W przypadku konwencjonalnych prostych części, od otrzymania próbki do dostarczenia odwzorowanej części, najszybszy czas realizacji wynosi w przybliżeniu10–15 dni roboczych; w przypadku części wymagających złożonych procesów powlekania jest to w przybliżeniu20–25 dni roboczych. Skontaktuj się z naszymi inżynierami, aby uzyskać przyspieszoną ocenę.

3. P: Co powoduje rozwarstwianie się powłoki CVD na częściach grafitowych podczas użytkowania? Czy da się to rozwiązać?

▼

A:90% przypadków rozwarstwień jest spowodowanych niedopasowaniem współczynnika rozszerzalności cieplnej (CTE) podłoża grafitowego i powłoki, co prowadzi do łuszczenia zmęczeniowego podczas szybkiego nagrzewania/chłodzenia. Nasze rozwiązanie: najpierw dokładnie zmierz krzywą CTE oryginalnej części, a następnie specjalnie dostosuj gęstość podłoża i gradient temperatury osadzania, tak aby oba współczynniki CTE były dobrze dopasowane. Siłę wiązania można zwiększyć do ponad1,5 razykonwencjonalny poziom branżowy.

4. P: Czy możesz dostarczyć CoA (certyfikat analizy) dla produktów? Jakie dane zawiera?

▼

A:Każdy wysyłany produkt jest standardowo wyposażony wunikalny numer seryjny + pełny raport CoA. Raport zawiera: dane z kontroli wymiarów krytycznych CMM, wielopunktową mapę rozkładu grubości powłok, wartości chropowatości powierzchni (Ra) oraz wnioski z analizy czystości materiału (GDMS).

Rozpocznij swoją ekskluzywną usługę już teraz

Telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

E-mail: anny@veteksemi.com

X
Używamy plików cookie, aby zapewnić lepszą jakość przeglądania, analizować ruch w witrynie i personalizować zawartość. Korzystając z tej witryny, wyrażasz zgodę na używanie przez nas plików cookie. Polityka prywatności
OdrzucićPrzyjąć