Pierścień pokrywy wafla z grafitu powlekanego TaC

Podstawowe zalety techniczne

• Wyjątkowa odporność chemiczna: Zaprojektowane tak, aby wytrzymać trudne gazy trawiące (H₂, NH₃, HCl) w temperaturach od 1200°C do 2000°C.

• Dopasowanie rozszerzalności cieplnej: Nasz opatentowany proces CVD zapewnia, że ​​powłoka TaC ma zoptymalizowane dopasowanie CTE (współczynnika rozszerzalności cieplnej) do podłoża grafitowego, zapobiegając łuszczeniu się lub pękaniu podczas szybkich cykli termicznych.

• Doskonała kontrola cząstek: Całkowicie uszczelniając porowaty grafit, warstwa TaC eliminuje wydzielanie cząstek, bezpośrednio zwiększając wydajność płytek i skracając przestoje reaktora.

• Wydłużony okres użytkowania: Powierzchnia o wysokiej odporności na zużycie, wytrzymująca wielokrotne cykle czyszczenia, oferująca znacznie niższy koszt posiadania (CoO) w porównaniu z alternatywami niepowlekanymi lub pokrytymi SiC.

Powłoka z węglika tantalu (TaC) na mikroskopijnym przekroju poprzecznym

Parametr produktu pierścienia pokrywy wafla z grafitu powlekanego TaC

Dlaczego warto wybrać nasze pierścienie osłonowe TaC?

Rozumiemy, że w produkcji półprzewodników niezawodność równa się rentowność. Nasze pierścienie pokrywające z wafla grafitowego powlekanego TaC są testowane partiami pod kątem gęstości i czystości powłoki. Niezależnie od tego, czy przechodzisz z produkcji płytek 6-calowych na 8-calowe, czy też optymalizujesz proces MOCVD w wysokiej temperaturze, nasze pierścienie zapewniają osłonę termiczną i chemiczną niezbędną do epitaksji na światowym poziomie.