SIC Crystal Wzrost Porowaty grafit

SIC Crystal Wzrost Porowaty grafit to materiał wykonany z porowatego grafitu o wysoce kontrolowanej strukturze porów. W przetwarzaniu półprzewodnikowym wykazuje doskonałą przewodność cieplną, oporność w wysokiej temperaturze i stabilność chemiczną, więc jest szeroko stosowany w fizycznym odkładaniu pary, chemicznym odkładaniu pary i innych procesach, znacznie poprawiając wydajność procesu produkcyjnego i jakości produktu, stając się optymalizowanym półprzewodnikiem Materiały kluczowe dla wydajności sprzętu produkcyjnego.

W procesie PVD porowaty grafit SiC do wzrostu kryształów jest zwykle używany jako podłoże lub element mocujący. Jego funkcją jest podparcie płytki lub innego podłoża i zapewnienie stabilności materiału podczas procesu osadzania. Przewodność cieplna porowatego grafitu wynosi zwykle od 80 W/m·K do 120 W/m·K, co umożliwia porowatemu grafitowi szybkie i równomierne przewodzenie ciepła, unikając lokalnego przegrzania, zapobiegając w ten sposób nierównomiernemu osadzaniu się cienkich warstw, znacznie poprawiając wydajność procesu .

Ponadto typowy zakres porowatości porowatego grafitu SiC Crystal Grow wynosi 20% ~ 40%. Ta cecha może pomóc w rozproszeniu przepływu gazu w komorze próżniowej i zapobiec wpływowi przepływu gazu na jednorodność warstwy folii podczas procesu osadzania.

W procesie CVD porowata struktura porowatego grafitu kryształowego SIC stanowi idealną ścieżkę do jednolitego rozmieszczenia gazów. Reaktywny gaz osadzany jest na powierzchni podłoża poprzez reakcję chemiczną w fazie gazowej w celu utworzenia cienkiej warstwy. Ten proces wymaga precyzyjnej kontroli przepływu i rozkładu gazu reaktywnego. 20% ~ 40% porowatości porowatego grafitu może skutecznie prowadzić gaz i równomiernie rozkładać go na powierzchni podłoża, poprawiając jednolitość i spójność osadzonej warstwy folii.

Porowaty grafit jest powszechnie stosowany jako rury pieców, nośniki substratów lub materiały maskujące w sprzęcie CVD, zwłaszcza w procesach półprzewodnikowych, które wymagają materiałów o wysokiej czystości i mają niezwykle wysokie wymagania dotyczące zanieczyszczeń cząstkami stałymi. Jednocześnie proces CVD zwykle wiąże się z wysokimi temperaturami, a grafit porowaty może zachować swoją stabilność fizyczną i chemiczną w temperaturach do 2500°C, co czyni go materiałem niezbędnym w procesie CVD.

Pomimo porowatej struktury porowaty grafit wzrostu SIC nadal ma wytrzymałość na ściskanie 50 MPa, co jest wystarczające do obsługi naprężenia mechanicznego generowanego podczas produkcji półprzewodników.

Jako lider porowatych produktów grafitowych w chińskim przemyśle półprzewodników, Veteksemi zawsze wspierał usługi dostosowywania produktów i zadowalające ceny produktów. Bez względu na konkretne wymagania, będziemy pasować do najlepszego rozwiązania dla Twojego porowatego grafitu i czekamy na konsultację w dowolnym momencie.

Podstawowe właściwości fizyczne porowatego grafitu kryształowego SIC:

VETEK półprzewodnik Sic Crystal Growth Porowate Products Produkty Produkty:

Przegląd łańcucha przemysłu epitaxy chipów półprzewodników: