Produkty

VETEK Semiconductor oferuje porowaty ceramiczny chuck szeroko stosowany w technologii przetwarzania wafli, transferu i innych linkach, odpowiednich do wiązania, scenariusza, łatki, polerowania i innych linków, przetwarzania laserowego. Nasz porowaty ceramiczny chuck ma ultra-odtłuszczoną adsorpcję próżniową, wysoką płaskość i wysoką czystość zaspokajają potrzeby większości branż półprzewodników. Przygotowanie do badania nas.

Susceptor RTP pokryty powłoką CVD SiC firmy VeTek Semiconductor przeznaczony jest do urządzeń do szybkiego przetwarzania termicznego (RTP) i szybkiego wyżarzania termicznego (RTA) stosowanych w produkcji półprzewodników. Podłoże jest wykonane z czystego grafitu izostatycznego, na którym osadzona jest gęsta warstwa węglika krzemu (SiC) CVD. Konstrukcja ta zapewnia wysoką przewodność cieplną, solidną obojętność chemiczną i trwałą stabilność wymiarową w warunkach powtarzających się cykli wysokotemperaturowych.

Powłoka TAC jest obecnie stosowana głównie w procesach takich jak wzrost z węglikiem krzemu (metoda PVT), dysk epitaksjalny (w tym epitaksja węgla krzemu, epitaksja LED), itp. W połączeniu z dobrą długoterminową stabilnością płytki pokonającej TAC, Vetesemicon Tac Coating Plate Tac Coating płyty TAC stała się zdarzeniem. Z niecierpliwością oczekujemy, że zostaniesz naszym długoterminowym partnerem.

Jako rdzeń konsumpalny w procesie produkcji półprzewodników, porowaty grafit odgrywa niezastąpioną rolę w wielu linkach, takich jak wzrost kryształów, domieszkowanie i wyżarzanie. Jako profesjonalny producent porowatego grafitu Vetek Semiconductor jest zaangażowany w dostarczanie wysokiej jakości porowatych produktów grafitowych po konkurencyjnych cenach, powitaj dalsze zapytanie.

Gan na SIC EPI wrażliwy odgrywa istotną rolę w przetwarzaniu półprzewodników poprzez doskonałą przewodność cieplną, zdolność przetwarzania wysokiej temperatury i stabilność chemiczną oraz zapewnia wysoką wydajność i jakość materiału w procesie wzrostu epitaxialnego GAN. Vetek Semiconductor jest chińskim profesjonalnym producentem GAN na SIC EPI wrażliwym, szczerze oczekujemy dalszych konsultacji.

Nośnik powlekania CVD TAC jest zaprojektowany głównie do epitaksjalnego procesu produkcji półprzewodnikowej. Ultra-wysoki temperatura topnienia CVD TAC TAC, doskonała odporność na korozję i wyjątkowa stabilność termiczna określają niezbędność tego produktu w procesie epitaksyjnym półprzewodników. Witaj swoje dalsze zapytanie.