Sztywny filc o wysokiej czystości

SIC Epitaksial Wzrost jest technologią uprawy cienkich folii z węglików krzemowych na powierzchni podłoża. Proces ten jest niezbędny do produkcji wysokowydajnych urządzeń półprzewodników z węglików krzemowych, takich jak urządzenia z węglika krzemu i urządzenia RF z węglików krzemionowych. W tym procesie środowisko wzrostu, w tym temperatura, przepływ gazu, ciśnienie i inne parametry, musi być ściśle kontrolowane, aby zapewnić wzrost wysokiej jakości warstw epitaksjalnych węglików o wysokiej ostrości o dobrych właściwościach elektrycznych. SIC Coatig Halfmoon Graphit części jest podstawowym elementem wzrostu epitaksjalnego SIC, a sztywna o wysokiej czystości odgrywa głównie rolę konserwacji ciepła części grafitowej Coatig Halfmoon.

Sztywna odczuwalność o wysokiej czystości ma dobrą przewodność cieplną, która może równomiernie rozłożyć ciepło źródła grzewczego wokół części grafitowej Halfmoon SIC Coatig i ma dobry efekt ochrony ciepła. Podczas wzrostu epitaksjalnego SIC może wchłaniać ciepło i powoli go uwalniać, aby uniknąć miejscowego przegrzania lub nadmiernego ogrodu, tak że różnica temperatur na powierzchni substratu z węglika krzemu jest kontrolowana w bardzo małym zakresie, a jednolitość temperatury może zwykle osiągnąć ± 1 - 2 ℃, co jest bardzo ważne dla uprawy krzemowej warstwy epitaksyjnej o jednolitej grubości i spójnych właściwościach elektrycznych.

Niektóre gazy korozyjne, takie jak silan (SiH4) i propan (C3H8), są wykorzystywane jako gazy będące źródłami reakcji podczas wzrostu epitaksjalnego SiC. Sztywny filc o wysokiej czystości ma dobrą tolerancję na te gazy chemiczne i może zachować integralność strukturalną przez cały cykl wzrostu epitaksjalnego (który może trwać wiele godzin, a nawet dziesiątek godzin). A czystość sztywnego filcu o wysokiej czystości przekracza 99,99% i nie uwalnia substancji, które mogą zanieczyścić warstwę epitaksjalną do środowiska reakcji, zapewniając w ten sposób wysoką czystość warstwy epitaksjalnej z węglika krzemu.

Odpowiednia gęstość może zapewnić wytrzymałość mechaniczną i przewodność cieplną sztywnego filcu o dużej czystości. Zapewniając przewodność cieplną, może zminimalizować zakłócenia czynników zewnętrznych na wzrost epitaksjalny SIC.

W porównaniu z tradycyjnymi materiałami ceramicznymi i materiałami metalowymi, sztywny filc grafitowy o wysokiej czystości ma lepszą przewodność cieplną i stabilność chemiczną i jest doskonałym pomocniczym materiałem składowym do wzrostu epitaksjalnego SiC.

Jako wiodący dostawca i fabryka sztywnego filcu o wysokiej czystości w Chinach, VeTek Semiconductor zapewnia produkty wysoce spersonalizowane, niezależnie od tego, czy chodzi o materiały, czy o rozmiar produktu, które można dostosować do Twoich potrzeb. Co więcej, VeTek Semiconductor od dawna angażuje się w dostarczanie zaawansowanej technologii sztywnego filcu o wysokiej czystości i rozwiązania produktowe dla przemysłu półprzewodników. Z niecierpliwością czekamy na to, aby zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.

VeTek Semiconductor Zakłady produkcyjne sztywnego filcu o wysokiej czystości: