SIC Głębokie podatność LED UV

SIC Głębokie podatnik LED UV jest elementem łożyska rdzenia wMOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Seposit). Podatnik bezpośrednio wpływa na jednolitość, kontrolę grubości i jakość materiału głębokiego wzrostu epitaksyjnego LED LED, szczególnie we wzroście warstwy epitaksyjnej azotku aluminiowego (ALN) o wysokiej zawartości aluminium, projekt i wydajność podatnika są kluczowe.

SEC Głębokie podatność LED LED jest specjalnie zoptymalizowana pod kątem głębokiej epitaxy LED UV i jest precyzyjnie zaprojektowana na podstawie termicznych, mechanicznych i chemicznych charakterystyk środowiskowych w celu spełnienia rygorystycznych wymagań procesowych.

VETEK Semiconductor wykorzystuje zaawansowane technologie przetwarzania, aby zapewnić równomierny rozkład ciepła podatnika w zakresie temperatur roboczych, unikając nierównomiernego wzrostu warstwy epitaksjalnej spowodowanej gradientem temperatury. Przetwarzanie precyzyjne kontroluje chropowatość powierzchni, minimalizuje zanieczyszczenie cząstek i poprawia wydajność przewodności cieplnej kontaktu powierzchniowego.

Vetek Semiconductor używa grafitu SGL jako materiału, a powierzchnię jest traktuje sięPowłoka CVD SIC, który przez długi czas można wytrzymać NH3, HCL i atmosferę wysokiej temperatury. Głębokie podatnik LED VEETEK SEIConductor Geep UV odpowiada współczynnikowi rozszerzalności cieplnej wafle epitaksyjnych ALN/GAN, zmniejszając wypaczanie lub pękanie wafla spowodowane naprężeniem termicznym podczas procesu.

Co najważniejsze, głębokie podatnik LED VEETEK SEICONDUCTOR DEC idealnie dostosowuje się do głównego nurtu sprzętu MOCVD (w tym Veeco K465i, EPIK 700, Aixtron Crius itp.). Obsługuje dostosowane usługi dla rozmiaru płytki (2 ~ 8 cali), projektu gniazda opłat, temperatury procesu i innych wymagań.

Scenariusze aplikacji:

● Głębokie przygotowanie LED UV: Mające zastosowanie do epitaksjalnego procesu urządzeń w paśmie poniżej 260 nm (dezynfekcja UV-C, sterylizacja i inne pola).

● Epitaksja półprzewodnika azotku: Stosowane do przygotowania epitaksjalnego materiałów półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GAN) i azotek aluminiowy (ALN).

● Eksperymenty epitaksjalne na poziomie badań: Głęboka epitaxia UV i nowe eksperymenty rozwoju materialnego na uniwersytetach i instytucjach badawczych.

Dzięki wsparciu silnego zespołu technicznego Vetek Semiconductor jest w stanie opracować podatniki o unikalnych specyfikacjach i funkcjach zgodnie z potrzebami klientów, wsparcie określonych procesów produkcyjnych i świadczenie długoterminowych usług.

Dane SEM z filmu powlekania CVD SIC:

Podstawowe właściwości fizyczne powłoki CVD SIC:

To półprzewodnikSIC GEED UV UV LED DEATceptor Products: