8-calowa część półksiężyca do reaktora LPE

Jako profesjonalny producent, Vetek Semiconductor chciałby zapewnić wysokiej jakości 8 -calową część pół -półmoon dla reaktora LPE.

VETEK półprzewodnik 8 -calowy pół -pół -pół -części dla reaktora LPE jest niezbędnym elementem wykorzystywanym w procesach produkcyjnych półprzewodników, szczególnie w urządzeniach epitaksjalnych SIC. Vetek Semiconductor wykorzystuje opatentowaną technologię do wytworzenia 8 -calowej części północy dla reaktora LPE, zapewniając, że ma wyjątkową czystość, jednolitą powłokę i wyjątkową długowieczność. Ponadto części te wykazują niezwykłą odporność chemiczną i właściwości stabilności termicznej.

Główny korpus 8-calowej części półksiężyca do reaktora LPE wykonany jest z grafitu o wysokiej czystości, który zapewnia doskonałą przewodność cieplną i stabilność mechaniczną. Wybrano grafit o wysokiej czystości ze względu na niską zawartość zanieczyszczeń, co zapewnia minimalne zanieczyszczenie podczas procesu wzrostu epitaksjalnego. Jego wytrzymałość pozwala mu wytrzymać wymagające warunki panujące w reaktorze LPE.

Części półmoon z grafitu powlekanego SiC firmy VeTek Semiconductor są produkowane z najwyższą precyzją i dbałością o szczegóły. Wysoka czystość zastosowanych materiałów gwarantuje doskonałą wydajność i niezawodność w produkcji półprzewodników. Jednolita powłoka tych części zapewnia stałą i wydajną pracę przez cały okres ich użytkowania.

Jedną z kluczowych zalet naszych części Halfmoon z grafitu powlekanego SiC jest ich doskonała odporność chemiczna. Są odporne na korozyjny charakter środowiska produkcyjnego półprzewodników, zapewniając długotrwałą trwałość i minimalizując potrzebę częstych wymian. Co więcej, ich wyjątkowa stabilność termiczna pozwala im zachować integralność strukturalną i funkcjonalność w warunkach wysokiej temperatury.

Nasze części Halfmoon z grafitu pokrytego SiC zostały starannie zaprojektowane, aby spełnić rygorystyczne wymagania sprzętu epitaksjalnego SiC. Dzięki niezawodnemu działaniu części te przyczyniają się do powodzenia procesów wzrostu epitaksjalnego, umożliwiając osadzanie wysokiej jakości warstw SiC.

STRUKTURA KRYSTALICZNA FOLII POWŁOKOWEJ CVD SIC: