Susceptor pokryty CVD TaC

Definicja produktu i skład

Susceptor pokryty powłoką VETEK CVD TaC to wysokiej klasy komponent nośnika waflowego stosowany specjalnie do obróbki epitaksjalnej półprzewodników trzeciej generacji (SiC, GaN, AlN). Produkt ten łączy w sobie zalety fizyczne dwóch wysokowydajnych materiałów:

Podłoże grafitowe o wysokiej czystości: Wykorzystuje proces formowania z prasowaniem izostatycznym, aby zapewnić, że podłoże ma doskonałą wytrzymałość strukturalną, wysoką gęstość i stabilność podczas obróbki cieplnej.

Powłoka CVD TaC: Gęsta, pozbawiona naprężeń warstwa ochronna z węglika tantalu (TaC) jest hodowana na powierzchni grafitu dzięki zaawansowanej technologii chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD).

Podstawowe zalety techniczne: Nadzwyczajna zdolność adaptacji do ekstremalnych środowisk

W procesie MOCVD powłoka TaC stanowi nie tylko fizyczną warstwę ochronną, ale także rdzeń zapewniający powtarzalność procesu:

Tolerancja na ekstremalnie wysokie temperatury: TaC ma temperaturę topnienia aż do 3880°C, zachowując doskonałą stabilność kształtu nawet w procesach epitaksjalnych w ultrawysokiej temperaturze powyżej 1600°C.

Doskonała odporność na korozję: W środowiskach silnie redukujących zawierających NH₃(amoniak) lub H₂(wodór), szybkość korozji TaC jest wyjątkowo niska, skutecznie zapobiegając utracie substratu i wytrącaniu się zanieczyszczeń.

Gwarancja wyjątkowo wysokiej czystości: Czystość powłoki wynosi aż 99,9995%. Jego gęsta struktura całkowicie uszczelnia mikropory grafitu, zapewniając, że warstwa epitaksjalna osiąga wyjątkowo niski poziom zanieczyszczeń.

Precyzyjny rozkład pola cieplnego: Zoptymalizowana technologia kontroli powłoki firmy VETEK zapewnia kontrolę różnicy temperatur powierzchni susceptora w zakresie ±2°C, znacznie poprawiając grubość i konsystencję długości fali epitaksjalnej warstwy płytki.

Parametry techniczne

Powłoka z węglika tantalu (TaC) na mikroskopijnym przekroju poprzecznym:

Podstawowe pola aplikacji

Wzrost epitaksjalny SiC (węglik krzemu).: Obsługuje produkcję 6-calowych, 8-calowych i większych urządzeń zasilających SiC.

Urządzenia oparte na GaN (azotku galu).: Używany w procesach MOCVD do diod LED o wysokiej jasności, urządzeń zasilających HEMT i chipów RF.

AlN (azotek glinu) i wzrost UVC: Zapewnia rozwiązania w zakresie nośników o ekstremalnie wysokiej temperaturze (1400°C+) dla materiałów o bardzo szerokiej przerwie energetycznej, takich jak diody LED Deep UV.

Indywidualne wsparcie badawcze: Dostosowuje się do potrzeb instytutów badawczych dotyczących precyzyjnego dostosowywania różnych nieregularnych części i dysków wielootworowych.

Kompatybilne modele i usługi dostosowywania

VETEK posiada możliwości precyzyjnej obróbki mechanicznej i powlekania, doskonale dostosowując się do światowego głównego nurtu sprzętu MOCVD:

AIXTRON: Obsługuje różne dyski i podstawy obrotu planet.

Veeko: Obsługuje K465i, Propel i inne serie wsporników pionowych.