CVD TAC powlekany trzypetalowy pierścień prowadzący

Materiał z pojedynczego kryształu z węglikiem krzemu jest rodzajem materiału kryształowego, który należy do materiału półprzewodnikowego szerokiego pasma. Ma zalety oporu wysokiego napięcia, oporności wysokiej temperatury, wysokiej częstotliwości, niskiej straty itp. Jest to podstawowy materiał do przygotowania urządzeń elektronicznych o dużej mocy i urządzeń radiowych mikrofalowych. Obecnie głównymi metodami wzrostu kryształów SIC są fizyczny transport pary (metoda PVT), chemiczne osadzanie pary w wysokiej temperaturze (metoda HTCVD), metoda fazy ciekłej itp.

Metoda fizycznego transportu pary (PVT) jest dobrze ustaloną techniką wysoce odpowiednią do produkcji przemysłowej na dużą skalę. W tym procesie kryształ nasion SIC umieszcza się na szczycie tygla, podczas gdy sic proszek, służący jako surowiec, jest umieszczany na dnie tygnym. W warunkach wysokiej temperatury i niskiego ciśnienia w zamkniętym środowisku proszek SIC sublimuje się. Sublimowane gatunki, kierowane przez gradient temperatury i stężenie, poruszają się w górę w kierunku regionu w pobliżu kryształu nasion. Po osiągnięciu stanu przesyconego występuje rekrystalizacja, umożliwiając precyzyjną kontrolę nad wielkością i specyficznym typem kryształów uprawianych kryształów SIC.

Trzy pierścień przewodnika powlekanego CVD TAC obsługuje wiele kluczowych funkcji. Przede wszystkim poprawia mechanikę płynów poprzez kierowanie przepływem gazu, zapewniając, że obszar wzrostu kryształów jest narażony na jednolitą atmosferę. Dodatkowo skutecznie rozprasza ciepło podczas procesu wzrostu kryształów SIC. Utrzymując odpowiedni gradient temperatury, optymalizuje warunki wzrostu dla kryształów SIC i łagodzi ryzyko wad kryształowych spowodowanych nierównomiernym rozkładem temperatury.