Aktualności

Wiadomości branżowe

W jaki sposób powłoka SIC poprawia odporność na utlenianie węgla odczuwalnego?13 2024-12

W jaki sposób powłoka SIC poprawia odporność na utlenianie węgla odczuwalnego?

W artykule opisano doskonałe fizyczne właściwości odczuwania węgla, szczególne powody wyboru powłoki SIC oraz metodę i zasadę powłoki SIC na filcu węglowym. W szczególności analizuje również zastosowanie dyfraktometru rentgenowskiego D8 Advance (XRD) w celu analizy składu fazowego filcu węgla powłokowego SIC.
Trzy technologie wzrostu pojedynczych kryształów SIC11 2024-12

Trzy technologie wzrostu pojedynczych kryształów SIC

Głównymi metodami wzrostu pojedynczych kryształów SIC są: fizyczny transport pary (PVT), chemiczne osadzanie pary w wysokiej temperaturze (HTCVD) i wzrost roztworu o wysokiej temperaturze (HTSG).
Zastosowanie i badania ceramiki węgla krzemu w dziedzinie fotowoltaiki - Vetek Semiconductor02 2024-12

Zastosowanie i badania ceramiki węgla krzemu w dziedzinie fotowoltaiki - Vetek Semiconductor

Wraz z opracowaniem przemysłu fotowoltaicznego słonecznego piece dyfuzyjne i piece LPCVD są głównym sprzętem do produkcji ogniw słonecznych, które bezpośrednio wpływają na wydajność ogniw słonecznych. W oparciu o kompleksową wydajność produktu i koszty użytkowania, materiały ceramiczne z węglika krzemu mają więcej zalet w dziedzinie ogniw słonecznych niż materiały kwarcowe. Zastosowanie materiałów ceramicznych z węglika krzemu w branży fotowoltaicznej może znacznie pomóc przedsiębiorstwom fotowoltaicznym obniżyć koszty inwestycji materialnych pomocniczych, poprawić jakość produktu i konkurencyjność. Przyszły trend krzemowych materiałów ceramicznych z węglików krzemowych w polu fotowoltaicznym jest głównie w kierunku wyższej czystości, silniejszej pojemności obciążenia, wyższej pojemności ładowania i niższych kosztów.
Jakie wyzwania stoją przed procesem powlekania CVD TaC w przypadku wzrostu monokryształów SiC w przetwarzaniu półprzewodników?27 2024-11

Jakie wyzwania stoją przed procesem powlekania CVD TaC w przypadku wzrostu monokryształów SiC w przetwarzaniu półprzewodników?

W artykule przeanalizowano specyficzne wyzwania stojące przed procesem powlekania CVD TaC dla wzrostu monokryształów SiC podczas przetwarzania półprzewodników, takie jak kontrola źródła materiału i czystości, optymalizacja parametrów procesu, przyczepność powłok, konserwacja sprzętu i stabilność procesu, ochrona środowiska i kontrola kosztów, jak jak również odpowiednie rozwiązania branżowe.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept