Aktualności

Wiadomości branżowe

Przepis na osadzanie warstwy ALD27 2024-07

Przepis na osadzanie warstwy ALD

Przestrzenne ALD, przestrzennie izolowane osadzanie warstw atomowych. Płytka przemieszcza się pomiędzy różnymi pozycjami i w każdej pozycji jest poddawana działaniu różnych prekursorów. Poniższy rysunek przedstawia porównanie tradycyjnej ALD i przestrzennie izolowanej ALD.
Przełom technologii węglika Tantalum, Zanieczyszczenie epitaksjalne SIC zmniejszone o 75%?27 2024-07

Przełom technologii węglika Tantalum, Zanieczyszczenie epitaksjalne SIC zmniejszone o 75%?

Niedawno niemiecki Instytut Badawczy Fraunhofer IISB dokonał przełomu w badaniach i rozwoju technologii powlekania węgla Tantalum i opracował rozwiązanie powlekania natryskowego, które jest bardziej elastyczne i przyjazne dla środowiska niż rozwiązanie do odkładania CVD i zostało skomercjalizowane.
Eksprawne zastosowanie technologii drukowania 3D w branży półprzewodników19 2024-07

Eksprawne zastosowanie technologii drukowania 3D w branży półprzewodników

W dobie szybkiego rozwoju technologicznego druk 3D, jako ważny przedstawiciel zaawansowanej technologii wytwarzania, stopniowo zmienia oblicze tradycyjnego wytwarzania. Dzięki ciągłemu rozwojowi technologii i redukcji kosztów technologia druku 3D otworzyła szerokie perspektywy zastosowania w wielu dziedzinach, takich jak przemysł lotniczy, produkcja samochodów, sprzęt medyczny i projektowanie architektoniczne, a także promuje innowacje i rozwój tych branż.
Technologia przygotowania epitaksji krzemu(Si).16 2024-07

Technologia przygotowania epitaksji krzemu(Si).

Same materiały monokrystaliczne nie są w stanie zaspokoić potrzeb rosnącej produkcji różnych urządzeń półprzewodnikowych. Pod koniec 1959 roku opracowano technologię wzrostu cienkiej warstwy materiału monokrystalicznego – wzrostu epitaksjalnego.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept