Wiadomości branżowe

Krzemowy węglik jest jednym z idealnych materiałów do wytwarzania urządzeń o wysokiej temperaturze, wysokiej częstotliwości, wysokiej mocy i wysokiego napięcia. W celu poprawy wydajności produkcji i zmniejszenia kosztów, przygotowanie dużych substratów z węglików krzemowych jest ważnym kierunkiem rozwoju.

Według zagranicznych wiadomości, dwa źródła ujawniły 24 czerwca, że ​​Bytedance współpracuje z amerykańską firmą Design Company Broadcom w celu opracowania zaawansowanego procesora komputerowego sztucznej inteligencji (AI), który pomoże Brzetedance zapewnić odpowiednią dostawę wysokiej klasy chipów pośród napięć między Chinami i Stany Zjednoczone.

Jako wiodący producent w branży SiC, związana z nią dynamika firmy Sanan Optoelectronics spotkała się z szerokim zainteresowaniem w branży. Niedawno firma Sanan Optoelectronics ujawniła szereg najnowszych osiągnięć, obejmujących transformację 8-calową, produkcję fabryczną nowych substratów, zakładanie nowych firm, dotacje rządowe i inne aspekty.

We wzroście monokryształów SiC i AlN metodą fizycznego transportu pary (PVT) kluczową rolę odgrywają kluczowe elementy, takie jak tygiel, pojemnik na nasiona i pierścień prowadzący. Jak pokazano na rysunku 2 [1], podczas procesu PVT kryształ zaszczepiający umieszczany jest w niższym obszarze temperatur, natomiast surowiec SiC poddawany jest działaniu wyższych temperatur (powyżej 2400 ℃).