Aktualności

W artykule dokonano analizy właściwości materiałowych półprzewodnikowych płytek podłoża takich jak krzem, GaAs, SiC i GaN

W tym artykule opisano głównie technologię epitaksjalną opartą na GAN, w tym strukturę krystaliczną materiałów opartych na GAN, 3. Wymagania dotyczące technologii epitaxialnej i rozwiązań wdrażania, zalety technologii epitaxial w niskiej temperaturze opartej na zasadach PVD oraz perspektywy rozwoju niskiej temperatury technologii epitaxial.

W tym artykule najpierw wprowadza strukturę molekularną i właściwości fizyczne TAC oraz koncentruje się na różnicach i zastosowaniach spiekanego węgla tantalu i węgla tantalum CVD, a także popularne produkty powlekania TAC VETEK Semiconductor.