Aktualności

Aktualności

Chętnie podzielimy się z Państwem wynikami naszej pracy, nowościami firmowymi, a także przedstawimy aktualne zmiany oraz warunki przydzielania i usuwania personelu.
8-calowy piec epitaksjalny i badania procesowe homoepitaksjalne29 2024-08

8-calowy piec epitaksjalny i badania procesowe homoepitaksjalne

8-calowy piec epitaksjalny i badania procesowe homoepitaksjalne
Płytka podłoża półprzewodnikowego: Właściwości materiałowe krzemu, GaAs, SiC i GaN28 2024-08

Płytka podłoża półprzewodnikowego: Właściwości materiałowe krzemu, GaAs, SiC i GaN

W artykule dokonano analizy właściwości materiałowych półprzewodnikowych płytek podłoża takich jak krzem, GaAs, SiC i GaN
Technologia epitaksji o niskiej temperaturze oparta na GAN27 2024-08

Technologia epitaksji o niskiej temperaturze oparta na GAN

W tym artykule opisano głównie technologię epitaksjalną opartą na GAN, w tym strukturę krystaliczną materiałów opartych na GAN, 3. Wymagania dotyczące technologii epitaxialnej i rozwiązań wdrażania, zalety technologii epitaxial w niskiej temperaturze opartej na zasadach PVD oraz perspektywy rozwoju niskiej temperatury technologii epitaxial.
X
Używamy plików cookie, aby zapewnić lepszą jakość przeglądania, analizować ruch w witrynie i personalizować zawartość. Korzystając z tej witryny, wyrażasz zgodę na używanie przez nas plików cookie.Polityka prywatności
OdrzucićPrzyjąć